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李树深院士学术报告
2014-06-26 09:14     (阅读:)

    报告题目:半导体科学与技术

    报告人:李树深 院士

    报告时间:2014年6月27日 14:00

    报告地点:图书馆二楼学术报告厅

    报告人简介:李树深院士,中国科学院半导体研究所所长。1963年3月出生于河北省保定市。1983年毕业于河北师范大学,1989、1996年先后在西南交通大学和中国科学院半导体研究所获硕士和博士学位。国家杰出青年基金获得者,国家创新研究群体“半导体低维结构中的量子调控”学术带头人,国家重大科学研究计划项目(973项目)首席科学家,入选国家级“新世纪百千万人才工程”,中国电子学会高级会员,享受国务院政府特殊津贴,国家自然科学基金委第11、12届专家评审组成员。曾先后在日本NEC电器株式会社筑波研究所、意大利国际理论物理中心和香港科技大学物理系进行光电子器件相关性能预测研究。现任《半导体学报》常务副主编,《NanoscaleResearchLetter》、《中国科学G辑:物理学力学天文学》中英文刊、《物理学进展》、《物理》、科学出版社<半导体科学与技术>专著丛书编委,多种国内外核心期刊特约评审,黄昆半导体物理科学奖(基金会)秘书长。先后参加和主持国家八五、九五攀登计划、国家重大基础研究计划项目(973项目)及国家自然科学基金委和中国科学院重大、重点项目多项,两次获国家自然科学二等奖和“何梁何利”科学技术进步奖。2011年当选为中国科学院院士。
    主要从事低维半导体物理及器件、光电子器件性能预测、固态量子信息等物理基础研究。提出了研究半导体耦合量子点(环)电子态结构的一种物理模型,理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光,发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制,发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法。近年来,在包括美国科学院院刊和美国物理评论快报在内的国内外重要学术期刊发表论文150余篇,研究工作被国际同行广泛引用(其中包括国际著名半导体物理专家的综述性论文),并被写入专著。

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